根据IC Insights的最新版McClean Report，随着所有的NAND闪存(flash)供应商提高3D NAND的产能，预计与NAND相关的资本支出总额将超过310亿美元，占半导体产业总额的31%。不过，相较于2017年NAND Flash资本支出成长暴增91%，今年NAND资本支出总额增幅减缓至13%。
同时，该报告预测，DRAM和SRAM的资本支出增幅将比其他任何产业更高，继2017年大幅成长82%后，今年将再成长41%。根据该报告，DRAM/SRAM的资本支出预计将达到229亿美元，占整体半导体产业的22%。
IC Insights预计，全球半导体产业总计将达到1,020亿美元——包括现有晶圆厂产线和全新制造设施的升级，象征着半导体产业第一次为资本支出注入突破1,000亿美元大关。该公司称，今年的总资本支出将比2017年增加9%，并较2016年的资本支出增加了38%。
IC Insights警告道，经过两年的资本支出大幅增加后，业界过度看好NAND flash市场需求的风险相当高且不断成长。IC Insights指出，三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)/Western Digital/ SanDisk和XMC /长江存储科技(YMTC)都计划在未来几年内大幅提升3D NAND flash产能，此外，还有其他新的中国内存新创公司可能进入市场。
IC Insights在新闻发布中指出：“内存市场的历史先例显示，过多的支出通常会导致产能过剩以及紧随而来的价格疲软。”
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